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参数资料
| 型号： | 2SD1468STP/S |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPT, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SD1468STP/S |
2SD1468S
Transistors
Rev.A
1/3
Muting Transistor (15V, 1A)
2SD1468S
Features
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.08V at
Ic / IB = 500mA / 500
A.
2) Ideal for low voltage, high current drives.
3) High DC current gain and high current.
External dimensions (Unit : mm)
Taping specifications
SPT
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(15Min.)
5.0
3.0
3Min.
0.45
0.5
4.0
2.0
(1)Emitter
(2)Collector
(3)Base
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCES
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
30
15
5
1
0.3
150
55 to +150
Unit
V
A
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
30
15
5
50
0.08
150
15
0.5
0.4
30
V
A
V
MHz
pF
IC
=50A
IC
=1mA
IE
=50A
VCB
=20V
VEB
=4V
IC/IB
=0.5mA/50mA
hFE
120
560
VCE
/IC
=3V/0.1A
VCE
=5V , IE= 50mA , f=100MHz
VCE
=10V , IE=0A , f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
DC current transfer ratio
Packaging specifications and hFE
Type
2SD1468S
SPT
QRS
5000
Package
hFE
TP
Code
Basic ordering unit (pieces)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1468STPS | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1471-DT | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1471-ET | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1471DT | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1474P | 6 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1470AT-TR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SD14740P | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 6A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1474PQ | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1475 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1476 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB |
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