型号: | 2SD1478AQ |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AB |
中文描述: | 晶体管|晶体管|达林顿|叩| 50V五(巴西)总裁| 200mA的一(c)|至236AB |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 63K |
代理商: | 2SD1478AQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1478AR | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
2SD1478Q | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AB |
2SD1949P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
2SD1949Q | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SD1949R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD1478ARL | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1479 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR SC-65 1500V 2A 80W BCE |
2SD1483 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23 |
2SD1483TX | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1484KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |