- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33428 > 2SD1481-M 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1481-M |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | 2SD1481-M |
Data Sheet D16189EJ1V0DS
2
2SD1481
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 40 V, IE = 0
1.0
A
DC current gain
hFE1
VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A*
2,000
20,000
DC current gain
hFE2
VCE = 2.0 V, IC = 3.0 A*
500
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 1.0 A, IB = 1.0 mA*
1.5
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 1.0 A, IB = 1.0 mA*
2.0
V
Turn-on time
ton
0.5
s
Storage time
tstg
2.0
s
Fall time
tf
IC = 1.0 A, IB1 =
IB2 = 10 mA
RL = 50
, VCC 50 V
Refer to the test circuit.
1.0
s
* Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
To
ta
lP
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
tio
n
P
T
(W
)
Case Temperature Tc (
°C)
Case Temperature TC (
°C)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Col
lec
tor
Cur
ren
t
I
C
(A
)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Col
lec
tor
Cur
ren
t
I
C
(A
)
IC
Der
at
ing
dT
(
%
)
Notes 1. Tc = 25
°C
2.
3.
With infinite heatsink
CASE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1481-K | 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1481-L | 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1483 | 700 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1485P | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1485Q | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1483 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23 |
| 2SD1483TX | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1484KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1484KT146Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1484KT146R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。