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参数资料
| 型号： | 2SD1484KT146/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2SD1484KT146/Q |
1/2
Medium Power Transistor (50V,0.5A)
2SD1949
2SD1949 / 2SD1484K
2SD1484K
Data Sheet
2011.06 -
Rev. E
www.rohm.com
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SD1949 / 2SD1484K
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
PC
Tj
Tstg
Limits
50
5
0.5
0.2
150
55 to +150
Unit
V
A
W
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Cob
50
5
120
250
6.5
0.5
390
V
MHz
pF
IC
=1mA
VCB
=30V
VEB
=4V
VCE/IC
=3V/10mA
VCE
=5V , I
E
= 20mA , f=100MHz
VCB
=10V , I
E
=0A , f=1MHz
2SD1484K
SMT3
QR
T146
3000
C
A
IC
=100A
IE
=100A
A
Parameter
Transition frequency
Output capacitance
V
CE(sat)
0.4
VIC/IB
=150mA/15mA
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector outoff current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Absolute maximum rationgs (Ta=25 C)
Packaging specifications and hFE
Type
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pleces)
2SD1949
UMT3
QR
T106
3000
Marking
Danotes hFE
Y
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) High current.(IC=0.5A)
2) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Emitter cutoff current
DC current rransfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
hFE values are classified as follows :
Item
Q
R
hFE
120 to 270
180 to 390
UMT3
(SC-70)
<SOT-323>
Electrical characteristic curves
(1) Emitter
(2) Bace
(3) Collector
(1) Emitter
(2) Bace
(3) Collector
SMT3
(SC-59)
<SOT-346>
(2)
(1)
2.8
1.6
0.4
(3)
2.9
1.9
0.95
0.8
0.15
0.3Min.
1.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1949T106/Q | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1949T106/R | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1952-T1XP | 3000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1952-T1 | 3000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1952XP | 3000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1484KT146R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1485 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD14850P | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 5A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1491-K(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1492 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-651500V 1.5A 50W BCE |
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