型号: | 2SD1616-L |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | SC-43B, 3 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 156K |
代理商: | 2SD1616-L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1616A | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD1681R | 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SD1681R | 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SD1681-S | 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SD1681-Q | 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1618 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-6220V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT |
2SD1618S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1618T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1620-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1621S-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:mom 25V 2A 140 to 280 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 25V 2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |