参数资料
型号: 2SD1616G-G-T9S-K
厂商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: HALOGEN FREE, TO-92SP, 3 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 178K
代理商: 2SD1616G-G-T9S-K
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1616/A
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R201-008.D
NPN EPITAXIAL SILICON
TRANSISTOR
DESCRIPTION
* Audio frequency power amplifier
* Medium speed switching
Lead-free: 2SD1616L/2SD1616AL
Halogen-free: 2SD1616G/2SD1616AG
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1616-x-AB3-R
2SD1616L-x-AB3-R
2SD1616G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
2SD1616-x-G03-K
2SD1616L-x-G03-K
2SD1616G-x-G03-K
SIP-3
E
C
B
Bulk
2SD1616-x-T92-B
2SD1616L-x-T92-B
2SD1616G-x-T92-B
TO-92
E
C
B
Tape Box
2SD1616-x-T92-K
2SD1616L-x-T92-K
2SD1616G-x-T92-K
TO-92
E
C
B
Bulk
2SD1616-x-T9S-K
2SD1616L-x-T9S-K
2SD1616G-x-T9S-K
TO-92SP
E
C
B
Bulk
2SD1616A-x-AB3-R
2SD1616AL-x-AB3-R 2SD1616AG-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
2SD1616A-x-G03-K
2SD1616AL-x-G03-K 2SD1616AG-x-G03-K
SIP-3
E
C
B
Bulk
2SD1616A-x-T92-B
2SD1616AL-x-T92-B
2SD1616AG-x-T92-B
TO-92
E
C
B
Tape Box
2SD1616A-x-T92-K
2SD1616AL-x-T92-K
2SD1616AG-x-T92-K
TO-92
E
C
B
Bulk
2SD1616A-x-T9S-K
2SD1616AL-x-T9S-K
2SD1616AG-x-T9S-K
TO-92SP
E
C
B
Bulk
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PDF描述
2SD1616AG-Y-T9S-K 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1616AG-G-T92-K 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD1616G-L-T9S-K 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1616AG-G-T92-B 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD1616G-L-T92-B 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1616-K (AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1616-L 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1618 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-6220V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT
2SD1618S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1618T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2