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参数资料
| 型号： | 2SD1622R |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SD1622R |
2SB1122 / 2SD1622
No.2040-3/5
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
--1.0
--0.6
--0.4
--0.2
--0.8
0
--1
--2
--5
--4
--3
IB=0mA
ITR08877
2SB1122
--1mA
--2mA
--8mA
--6mA
--4mA
--10mA
--12mA
1.0
0.6
0.4
0.2
0.8
0
01
2
5
4
3
IB=0mA
ITR08878
2mA
1mA
9mA
8mA
7mA
5mA
6mA
4mA
3mA
10mA
2SD1622
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1200
--1000
--800
--600
--400
--200
0
ITR08879
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1122
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
1200
1000
800
600
400
200
0
ITR08880
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1622
VCE=2V
52
3
2
3
55
10
7
100
10
2
5
7
5
3
2
3
ITR08883
2SB1122
2SD1622
1.0
10
7
3
5
10
2
3
5
2
27
35
100
27
35
7
5
ITR08884
2SB1
122
2SD1622
2
3
5
7
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
57
--1000
ITR08881
2SB1122
VCE= --2V
Ta=75°C
25°C
--25°C
2
3
5
7
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
57
1000
ITR08882
2SD1622
VCE=2V
Ta=75°C
25°C
--25°C
VCE=10V
f=1MHz
For PNP, minus sign is omitted
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SD1622U | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1622S | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1122-S | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD1623S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1623T-TD | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SD1623T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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