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参数资料
| 型号： | 2SD1624R |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | 2SD1624R |
2SD1624
NPN Epitaxial
Planar Silicon
Transistors
Features
Adoption of FBET, MBIT processes.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
Fast switching speed.
Large current capacity and wide ASO.
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
50
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6.0
V
IC
Collector Current
3.0
A
ICP
Collector Current (Pulse)
6.0
A
PC
Collector dissipation
500
mW
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=10uAdc, IE=0)
60
---
Vdc
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=1.0mAdc)
50
---
Vdc
V(BR)EBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IE=10uAdc, IC=0)
6.0
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=40Vdc,IE=0)
---
1.0
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=4.0Vdc, IC=0)
---
1.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE-1
DC Current Gain
(IC=100mAdc, VCE=2.0Vdc)
100
---
560
---
hFE-2
DC Current Gain
(IC=3.0Adc, VCE=2.0Vdc)
35
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=2.0Adc, IB=10mAdc)
---
0.35
0.19
0.7
0.5
Vdc
VBE(SAT)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=2.0Adc,IB=100mAdc)
---
0.94
1.2
Vdc
fT
Gain-Bandwidth product
(VCE=10V, IC=50mA )
---
150
---
MHz
Cob
Out Capacitance
(VCB=10V, f=1.0MHz)
---
25
---
pF
ton
Turn-on Time
---
70
---
ns
Tstg
Storage Time
---
650
---
ns
tf
Fall Time
IC=1.0Adc
IB1=IB2=0.1Adc
---
35
----
ns
hFE[1] CLASSIFICATION
Rank
R
S
T
U
Range
100-200
140-280
200-400
280-560
SOT-89
B
A
E
D
G
H
F
K
J
C
1
2
3
1. Emitter
2. Collector
3. Base
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1624T | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1628 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1628G | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1628-G | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1628-E | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1624-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1624S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624T-TD-E | 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1624T-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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