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参数资料
| 型号： | 2SD1676RR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPAK-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SD1676RR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1679T | 500 mA, 23 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD1684-S | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1684-T | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1144-T | 1.5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1684-S | 1.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1682S | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 2.5A, TO-126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 2.5A TO-126 |
| 2SD1683S | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1683T | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1684 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB |
| 2SD1684T | 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126 |
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