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参数资料
| 型号： | 2SD1757KT146R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SD1757KT146R |
2SD1757K
Transistors
Rev.A
1/3
Power Transistor (15V, 0.5A)
2SD1757K
Features
1) Low VCE(sat). (Typ.8mV at IC/IB = 10/1mA)
2) Optimal for muting.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
30
15
6.5
0.5
0.2
150
55 to +150
Unit
V
A
W
°C
External dimensions (Unit : mm)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(2) Base
(3) Collector
(1) Emitter
Each lead has same dimensions
0.8
0.15
0to0.1
0.3to0.6
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
2.9
1.9
0.95
Packaging specifications and hFE
Type
Package
hFE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SD1757K
SMT3
QRS
AA
T146
3000
Denotes hFE
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
30
15
6.5
120
0.1
150
15
0.5
560
0.4
V
A
V
MHz
pF
IC
=50A
IC
=1mA
IE
=50A
VCB
=20V
VEB
=4V
VCE/IC
=3V/100mA
IC/IB
=500mA/50mA
VCE
=5V , IE=50mA , f=100MHz
VCB
=10V , IE=0A , f=1MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1757KT146S | 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1758F5TLQ | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1758F5TLPR | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1758F5TLP | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1767T100Q | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1757KT146S | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 15V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1758TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1758TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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