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参数资料
| 型号： | 2SD1759 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SD1759 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2318/U | 4500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5001/R | 15000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1182/R | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1952/PQ | 10000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1733/PQ | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1759TL | 功能描述:达林顿晶体管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1760FRATLR | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR |
| 2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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