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参数资料
| 型号： | 2SD1766T100/P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SD1766T100/P |
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
3/3
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.4
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
500
20
200
100
50
5
10 20
50 100 200
500 1A 2A
Ta
=25°C
10
20
IC/IB
=50
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.5
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
5
1
2
0.2
0.5
0.1
10 20
50 100 200
500 1A 2A
Ta
=25°C
IC/IB
=10
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Fig.6
Transition frequency vs. emitter
current
2
1
200
5 10 20
50 100200 500 1A
500
1000
100
50
20
Ta
=25°C
VCE
=5V
0.5
200
10
500
1000
100
20
50
12
5
10
20
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:Cib
(pF)
Fig.7 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Cib
Cob
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.9
Safe operating area
5
0.1
50
2
0.2
0.5
1
0.1
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.01
0.02
(2SD1758)
PW
=100ms
Tc
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.8 Safe operating area
0.01
5
0.1
50
2
0.2
0.5
1
0.1
0.02
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
20
(2SD1766)
Pw
=10ms
100ms
DC
Ta
=25
°C
Single
nonrepetitive
pulse
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Ic Max
DC
Ic Max Pulse
Ta=25
°C
Single
nonrepetitive
pulse
Pw=10ms
Pw=100ms
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
3
2
1
0.1
0.2
0.5
0.05
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.10
Safe operating area
(2SD1862)
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