型号: | 2SD1766T101/Q |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 2SD1766T101/Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1766T101/R | 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1898T100/QR | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1386T101R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2098T101R | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1812T101/NQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1767 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR SC-62 80V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT |
2SD1767T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1767T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1768STPQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1768STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |