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参数资料
| 型号： | 2SD1767T100/PQ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD1767T100/PQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1767T101/PR | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2211T101/NQ | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2153T101/UW | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1182TL/QR | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1275F5/PQ | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1767T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1767T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD177 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-3120V 10A 100W BEC |
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