- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录357232 > 2SD176 TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD176 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 50V五（巴西）总裁| 10A条一（c）|至3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SD176 |
2SC2545, 2SC2546, 2SC2547
5
0.1
100
50
500
1,000
200
5,000
2,000
0.2
0.5 1.0
Collector Current I
C
(mA)
2
5
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
10 20
50 100
V
= 12 V
Pulse
1
0.02
0.01
0.1
0.2
0.05
1.0
0.5
2
5
10
20
Collector Current I
C
(mA)
C
C
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
50
100
I
C
= 10 I
B
1
0.2
0.1
1.0
2
0.5
10
5
2
5
10
20
Collector Current I
C
(mA)
B
B
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
50
100
I
C
= 10 I
B
1
50
20
200
500
100
2,000
1,000
2
5
10
20
Collector Current I
C
(mA)
G
T
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
50
100
V
CE
= 12 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2547D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC2546F | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC2546E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SC2546D | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC2545F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1760FRATLR | 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR |
| 2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1760TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1760TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。