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参数资料
| 型号： | 2SD1778/EF |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SD1778/EF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1778A/D | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4596/DE | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SC4595C7/DE | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1565D | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SD2043T114 | 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1779-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD178 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1780-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1781KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1781KT146Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 32V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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