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参数资料
| 型号： | 2SD1793-4100 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SD1793-4100 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1791-4100 | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1024-4100 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1022-4100 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2196-4100 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1791-4000 | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1793-7000 | 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=10 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1793-7012 | 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=10 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1793-7100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=10 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1793-7112 | 功能描述:达林顿晶体管 V=100 IC=10 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1794-7000 | 功能描述:达林顿晶体管 V=200 IC=10 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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