参数资料
型号: 2SD1803L-Q-TN3-T
厂商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封装: LEAD FREE PACKAGE-3
文件页数: 1/5页
文件大小: 175K
代理商: 2SD1803L-Q-TN3-T
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1803
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-014,E
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SD1803 applies to relay drivers, high-speed
inverters, converters, and other general high-current switching
applications.
FEATURES
*Low Collector-To-Emitter Saturation Voltage.
*High Current And High fT.
*Excellent Linearity Of hFE.
*Fast Switching Time.
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1803-x-TM3-T 2SD1803L-x-TM3-T 2SD1803G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SD1803-x-TN3-R 2SD1803L-x-TN3-R 2SD1803G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
2SD1803-x-TN3-T
2SD1803L-x-TN3-T 2SD1803G-x-TN3-T
TO-252
B
C
E
Tube
相关PDF资料
PDF描述
2SD1803L-R-TN3-R 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1803L-T-TN3-T 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1803-T-TN3-T 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1803-S-TN3-T 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1803L-S-TN3-T 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1803S-E 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803S-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD1803T-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2