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参数资料
| 型号： | 2SD1804S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 50V五（巴西）总裁| 8A条一（c）|至252 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2SD1804S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1804T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
| 2SD1815Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SD1815R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SD1815S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
| 2SD1815T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1805 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1805F-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805F-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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