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参数资料
| 型号： | 2SD1805ETP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SD1805ETP |
2SD1805
No.2115–2/4
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
Tc=25C
Switching Time Test Circuit
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* : The 2SD1805 is classified by 500mA hFE as follows :
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6
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G
0
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2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1805GTP-FA | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1805GTP | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816RTP | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1216RTP | 4000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1816QTP | 4000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1805F-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805F-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1805G-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1806 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS SC-64(TP) 40V 2A 15W BCE |
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