2SD1821H PDF资料下载(1/4 页)50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

相关PDF资料	PDF描述
2SB1220TX	50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1219ATX	500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3929H	50 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1748H	50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SK662TX	20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

相关代理商/技术参数	参数描述
2SD1821S	制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD18230RL	功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1823GRL	功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240RL	功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18240SL	功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

相关代理商/技术参数

参数描述

制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR

功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SD1823GRL

2SD18240RL

功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SD18240SL

功能描述:TRANS NPN LF AMP 100VCEO SMINI3P RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

型号：	2SD1821H
厂商：	PANASONIC CORP
元件分类：	小信号晶体管
英文描述：	50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数：	1/4页
文件大小：	205K
代理商：	2SD1821H

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式