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参数资料
| 型号： | 2SD1830-RA |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SD1830-RA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1209(K)TZ | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1209(K) | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1209(K) | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1221-Y(2-7B2A) | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1832 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TP-220FP80V 5A 30W BCE |
| 2SD1833 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP100V 7A 30W BCE |
| 2SD1834T100 | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1835S | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835S-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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