型号: | 2SD1835-S |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | NP, 3 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 48K |
代理商: | 2SD1835-S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1835 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SB1229 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SD1835-T | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1860TV3/P | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1485M/P | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD1835S-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1835T | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1835T-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1843 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SP-8 60V 1A 1W ECB |
2SD1846 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSTOP-3FD 1500V 3.5A 60W BCE |