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参数资料
| 型号： | 2SD1835 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | NP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SD1835 |
2SB1229/2SD1835
No.2158–2/5
r
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(
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B
IC
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,
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(
=
B
A
m
0
5
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–
(
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0
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–
(2
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–
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CV
O
B
C
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R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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g
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V
n
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k
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B
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-
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o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
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d
k
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r
B
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B
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-
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m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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S)
0
6
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S
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0
5
4
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C
t
s
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T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
0
3s
n
0
3s
n
Switching Time Test Circuit
* : The 2SB1229/2SD1835 are classified by 100mA hFE as follows :
k
n
a
RR
S
T
U
h E
F
0
2
o
t
0
10
8
2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
20
6
5
o
t
0
8
2
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=500mA, VCC=25V
(For PNP, the polarity is reversed.)
ITR09360
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
IB=0
--20mA
ITR09361
IC -- VCE
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
IB=0
2SB1229
50mA
25mA
40mA
2SD1835
15mA
8mA
ITR09362
IC -- VCE
0--4
--2
--6
--8
--10
--12
0
--200
--400
--600
--800
--1000
--1200
IB=0
--7mA
--6mA
--5mA
--4mA
--3mA
--2mA
--1mA
ITR09363
IC -- VCE
04
28
612
10
0
200
400
600
800
1000
1200
IB=0
2SB1229
7mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
6mA
2SD1835
--50mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
4mA
2mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1229 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1835-T | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1860TV3/P | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1485M/P | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2279TV4P | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1835S | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835S-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835T | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1835T-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1843 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SP-8 60V 1A 1W ECB |
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