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参数资料
| 型号： | 2SD1855A/F |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封装： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SD1855A/F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1855C7E | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2039T114 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1943C7/JK | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1287C7 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1496T114E | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1856 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857ATV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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