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参数资料
| 型号： | 2SD1859QTV2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ATV, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SD1859QTV2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1859RTV2 | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1238L-R | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1238L-S | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB922L | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1238L-Q | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1859TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1859TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1860 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB |
| 2SD1861TV2 | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD1862 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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