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参数资料
| 型号： | 2SD1862TV6/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SD1862TV6/Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1857TV3R | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1485MC2P | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1652MC2R | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2/NQ | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1236TV2/N | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1863 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR ATV 100V 1A 1W ECB |
| 2SD1863TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1863TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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