型号: | 2SD1896/CD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 137K |
代理商: | 2SD1896/CD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1896/C | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SD1897 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SD1905S | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SD1905Q | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SB1269S | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SD1898T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1898T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1898T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |