- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55792 > 2SD1922 SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD1922 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD1922 |
2SD1922
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
25
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
25
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6V
Collector current
I
C
0.8
A
Collector peak current
ic
(peak)
1.5
A
E to C diode forward current
I
D
0.8
A
Collector power dissipation
P
C
0.9
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
25
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
25
—
35
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Collector to emitter sustaining
voltage
V
CEO(sus)
25
—
35
V
I
C = 0.8 A, RBE = ∞,
L = 20 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6—
—
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
0.2
AV
CB = 20 V, IE = 0
I
CEO
—
0.5
AV
CE = 20 V, RBE = ∞
Emitter cutoff current
I
EBO
—
0.2
AV
EB = 5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE
250
—
1200
V
CE = 2 V, IC = 0.1 A*
1
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
0.3
V
I
C = 0.8 A, IB = 80 mA*
1
E to C diode forward voltage
V
D
—
1.1
V
I
D = 0.8 A*
1
Note:
1. Pulse test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1949T106 | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2004T105/Q | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2048 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2049 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2110 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1933 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP80V 4A 30W BCE |
| 2SD1936T-SSH | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1938 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1938(F)-S(TX) | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述: |
| 2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。