型号: | 2SD1936V |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SPA, 3 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | 2SD1936V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N5877 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N3687 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1938 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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2SD1938FSL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1938FTL | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD1943 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB 80V 3A 40W BCE |