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参数资料
| 型号： | 2SD1937R |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92L, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2SD1937R |
642
Transistor
2SD1937
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification
Complementary to 2SB1297
s Features
q
High collector to emitter voltage VCEO.
q
Optimum for the driver-stage of a low-frequency and 40 to 60W
output amplifier.
q
Allowing supply with the radial taping.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
TO–92L-A1 Package
5.9±0.2
0.7±0.1
4.9±0.2
8.6
±0.2
0.7
+0.3 –0.2
13.5
±0.5
2.54±0.15
(3.2)
(1.27)
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
13
2
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
120
5
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
VCEO
VEBO
hFE1
*
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
Conditions
IC = 0.1mA, IB = 0
IE = 10A, IC = 0
VCE = 10V, IC = 150mA
VCE = 5V, IC = 500mA
IC = 300mA, IB = 30mA
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
min
120
5
130
50
typ
200
max
330
1
1.2
20
Unit
V
MHz
pF
*h
FE1 Rank classification
Rank
R
S
hFE1
130 ~ 220
185 ~ 330
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
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