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参数资料
| 型号： | 2SD1943J |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SD1943J |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4205C7/A | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1763C7/D | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2400C7/E | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SD2400A/D | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SD1897C7/DF | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD1947A(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D |
| 2SD1949Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1949T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1949T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1949T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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