型号: | 2SD1944C7K |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
封装: | TO-220FP, 3 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | 2SD1944C7K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC3969C7B | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SC4849C7D | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SD1562C7E | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SB1085A/D | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SD1944C7/J | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD1947A(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D |
2SD1949Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1949T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SD1949T106Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1949T106R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |