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参数资料
| 型号： | 2SD1949P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 50V五（巴西）总裁| 500mA的一（c）|的SOT - 23VAR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SD1949P |
2
Transistor
2SD1478, 2SD1478A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
0
200
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
Ta=25C
I
B
=50
μ
A
45
μ
A
40
μ
A
35
μ
A
5
μ
A
10
μ
A
15
μ
A
20
μ
A
25
μ
A
30
μ
A
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
25C
–25C
Ta=75C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
Ta=–25C
25C
75C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
10
10
2
10
3
10
4
10
5
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
1
3
10
30
100
0
6
5
4
3
2
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
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