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参数资料
型号： 2SD1978
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TO-92MOD, 3 PIN
文件页数： 1/6页
文件大小： 31K
代理商： 2SD1978
2SD1978
Silicon NPN Epitaxial, Darlington
ADE-208-1162 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SB1387
Outline
3
2
1
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92MOD
2 k
(Typ)
0.5 k
(Typ)
ID
3
2
1
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PDF描述
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2SD1991R 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD1980TL 功能描述:达林顿晶体管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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