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参数资料
型号： 2SD1993S
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 238K
代理商： 2SD1993S
Transistors
1
Publication date: April 2003
SJC00236BED
2SD1993
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency and low-noise amplification
■ Features
Low noise voltage NV
High forward current transfer ratio h
FE
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
55
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
55
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
7V
Collector current
IC
100
mA
Peak collector current
ICP
200
mA
Collector power dissipation
PC
400
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 055
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 055
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 07
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB
= 20 V, I
E
= 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 20 V, IB = 01
A
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
210
650
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC
= 100 mA, I
B
= 10 mA
1
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Noise voltage
NV
VCE = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB
150
mV
Rg = 100 k, Function = FLAT
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Unit: mm
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
6.9±0.1
2.5±0.1
0.45
1.05±0.05
2.5±0.5
123
2.5±0.5
+0.10
–0.05
0.45
+0.10
–0.05
(0.8)
(1.0)
(0.85)
3.5
±
0.1
14.5
±
0.5
(0.7)
(4.0)
0.65 max.
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-1-A1 Package
Rank
R
S
T
hFE
210 to 340
290 to 460
360 to 650
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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http://panasonic.net/sc/en
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PDF描述
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2SD1994R 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
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2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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