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参数资料
| 型号： | 2SD2011T105B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | 2SD2011T105B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1902TE4 | 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 2SD2309T105A | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1256C | Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC4166T103 | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SD1929T103C | Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SD2012(F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012,F(J | 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
| 2SD2012_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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