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参数资料
| 型号： | 2SD2062F31/F |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SD2062F31/F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4850F31/E | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SA1788/F | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SA1789F31/DE | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SC4652F31/D | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2SA1633F31/F | 10 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2063 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92MOD 15V 1A .9W ECB |
| 2SD2064 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY USHITA TRANSISTOR TOP-3FC 120V 6A 70W BCE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD20640S | 功能描述:TRANS NPN 120VCEO 6A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2064P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD2064Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR |
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