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参数资料
| 型号： | 2SD2096T114F |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | HRT, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | 2SD2096T114F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6549 | 2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
| 2SC4106L | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N5771/D26Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC3277L | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1468STPQ | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2097 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) transistor (strobe flash) |
| 2SD2097TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2097TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2098 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Low VCE(sat) Transistor |
| 2SD2098_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low VCE(sat) transistor (strobe flash) |
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