型号: | 2SD2118/QS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | 2SD2118/QS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1760/QR | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1181/P | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1832C7/EF | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SD2400/EF | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
2SB1292/DF | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD2118R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
2SD2118S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR |
2SD2118TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2118TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2118-TLR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR SMD PNP 80V 1A |