参数资料
型号: 2SD2144S
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/2页
文件大小: 90K
代理商: 2SD2144S
相关PDF资料
PDF描述
2SC1741 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1199T93 700 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2410S 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3801T93 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC1741AT93 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SD2144STPU 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2144STPV 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2144STPW 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SD2144SU 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
2SD2144S-UVW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR