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参数资料
| 型号： | 2SD2153T100/EW |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD2153T100/EW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1963T101/Q | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1733TR/PR | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TR/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4505T101P | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1900T101/P | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2153T100U | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153T100V | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153T100W | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2153U | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
| 2SD2153V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62 |
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