型号: | 2SD2181S |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | MT2, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 234K |
代理商: | 2SD2181S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD2193 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2193 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2199-Q | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2199S | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2199R | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD2182 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:2SD2182 |
2SD2183 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
2SD2184 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type) |
2SD21840RA | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2185 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |