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参数资料
| 型号： | 2SD2195T101 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD2195T101 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1797T101/PQ | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2143TR | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1516F5/P | 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1870/DE | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1870/F | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2196 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全称:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Darlington Transistor(15A NPN) |
| 2SD2196-4100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2196-7100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2196-7112 | 功能描述:达林顿晶体管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2197M | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-71 |
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