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参数资料
| 型号： | 2SD2203-S |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SD2203-S |
2SB1455/2SD2203
No.3250–2/4
Switching Time Test Circuit
r
e
t
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m
a
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a
Pl
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b
m
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Ss
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(
E
C
IC
I
,
A
4
)
–
(
=
B
A
4
.
0
)
–
(
=
4
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0V
)
5
.
0
–
(V
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V
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B
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CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
E 0
=0
9
)
–
(V
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g
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t
l
o
V
n
w
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d
k
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r
B
r
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m
E
-
o
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-
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o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
8
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
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k
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B
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B
-
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-
r
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t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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m
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T
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S
)
2
.
0
(s
4
.
0s
Continued from preceding page.
OUTPUT
50
100
1
25
100
F
470
F
10IB1=--10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
VCC=50V
VBE=--5V
INPUT
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
ITR09755
ITR09756
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--2
--1
--3
--4
--6
--5
--7
--8
--9
--10
IB=0
--50mA
--100mA
--150mA
--200mA
--250mA
--300mA
IC -- VCE
2SB1455
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
1
3
4
6
5
7
8
9
10
IB=0
50mA
100mA
150mA
200mA
250mA
2SD2203
300mA
350mA
400mA
ITR09758
IC -- VCE
0
400
800
1200
1600
2000
0
4
2
6
8
12
10
14
16
18
20
IB=0
50mA
100mA
150mA
200mA
250mA
500mA
450mA
ITR09757
IC -- VCE
0
--400
--800
--1200
--1600
--2000
0
--4
--2
--6
--8
--12
--10
--14
--16
--18
--20
IB=0
--50mA
--100mA
--150mA
2SB1455 From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
--200mA
2SD2203 From top
500mA
450mA
400mA
350mA
300mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4161-M | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1241TV4/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013-GB | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5416 | 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2SK1069-21-TR | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2204 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITHCING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SD2204_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SD2206 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SD2206(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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