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参数资料
| 型号： | 2SD2211T100/NP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD2211T100/NP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1561T101/P | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1918TL/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1834F5/R | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1898T101/R | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1181F5/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2211T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2211T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2212 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A) |
| 2SD2212T100 | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2213 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
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