- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41468 > 2SD2211T101/P 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SD2211T101/P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SD2211T101/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5162F5/P | 1000 mA, 600 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4939TR/D | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1812T100/NQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2118TL/RS | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1862TL/N | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2212 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A) |
| 2SD2212T100 | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2213 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2213TZ | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2214 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-220FA60V 8A 2W BCE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。