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参数资料
| 型号： | 2SD2212B |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SD2212B |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2212T100 | 功能描述:达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SD2213 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2213TZ | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 2SD2214 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-220FA60V 8A 2W BCE |
| 2SD2215 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
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