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参数资料
| 型号： | 2SD2215 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type) |
| 中文描述： | 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SD2215 |
2
Power Transistors
2SD2215, 2SD2215A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=1.3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=14mA
12mA
10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.4
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
4.0
3.2
2.4
1.6
0.8
T
C
=100C
25C
–25C
V
CE
=10V
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=10V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.001
0.01
0.1
1
0.003
Collector current I
C
(A)
0.03
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10ms
t=1ms
DC
2
2
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–3
10
2
10
–2
1
Time t (s)
10
–1
10
10
3
10
4
0.1
1
10
100
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
T
t
(
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PDF描述 |
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