型号: | 2SD2216G |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 187K |
代理商: | 2SD2216G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD2216GS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2222S | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2222P | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2222Q | 8 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2225S | 500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SD2216G0L | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2216J | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
2SD2216J0L | 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2216L | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification |
2SD2217 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |